16N65场效应管SFF16N65是一款高压N沟道增强型MOSFET，厂商是深鸿盛，丝印SFF16N65，管装，主要用于高电压和大电流的开关应用，以下是16N65的主要参数。

漏源电压 (Vds)：最大漏源电压为650V。

连续漏极电流 (Id)：最大连续漏极电流为16A。

栅源电压 (Vgs)：最大栅源电压为±30V。

功率损耗 (Pd)：最大功率损耗为42W。

工作结温 (Tj)：工作结温范围为-55°C至150°C

导通电阻 (Rds(on))：在特定的栅源电压下（例如Vgs = 10V），MOSFET在导通状态下漏源间的电阻，值为380mΩ。

封装：TO-220F-3L

16N65场效应管SFF16N65电气特性参数；