20n65场效应管参数是深鸿盛电子一款20A/650v N沟功率mos管，封装是TO-220F-3L，丝印SFF20N65，管装，广泛应用于各种电力电子设备中，欢迎咨询样品，最新价格。

20n65场效应管SFF20N65主要参数；

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏极电流：20A

功耗 ：65W

单脉冲雪崩能量：638.2mj

导通电阻 (Rds(on))：例如在Vgs = 10V的典型导通电阻约为 0.37Ω。

代换型号：可与AP20N65F，OSPF20N65，CS20N65，TXF20N65C，SIF20N65Z，FQPF20N65C等其它20N65 mosfet管进行互换。

20n65场效应管参数SFF20N65电气特性参数；