AP12N65是一款常见的N沟道增强型MOSFET，由厂商铨力半导体生产，TO-220封装，通常用于开关电源、电机驱动等应用中。这种类型的场效应管因其低导通电阻和较高的击穿电压而被广泛使用。

12n65场效应管AP12N65主要参数；

Vds(max) (最大漏源电压)：650V。

Id(max) (最大连续漏极电流)：12A。

Vgs(th) (阈值电压)：在2V到4V之间。

Vgs（栅源电压）：±30v

Rds(on) (导通电阻)：典型值605mΩ。

Pd (功耗)：225w

Tj(max) (最大结温)：150°C。

12n65场效应管AP12N65引脚定义介绍；

12n65场效应管代换型号；

类似型号有KIA12N65H、ASEMI 12N65、SVF12N65F/K/S、OSPH12N65、SIF12N65F、CR12N65FA9K等，它们通常可以互相代换。