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60v 12A双N沟道场效应管SFS6012T2

SFS6012T2是深鸿盛电子一款双N沟道mos管,耐压60v,漏极电流12A,导通电阻10V:14.5mΩ,采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的 RDS(导通)性能,SOP8-8L封装,单脉冲雪崩能量112MJ。广泛用于电池管理系统(BMS),DC-DC转换器,无刷直流电机(BLDC)控制,H桥电路,音频放大器或RF功率放大器。

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SFS6012T2是深鸿盛电子一款双N沟道mos管,耐压60v,漏极电流12A,导通电阻10V:14.5mΩ,采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的 RDS(导通)性能,SOP8-8L封装,单脉冲雪崩能量112MJ。

60v 12A双N沟道场效应管SFS6012T2极限参数;

60v 12A双N沟道场效应管SFS6012T2极限参数

60V 12A 双N沟道场效应管SFS6012T2主要应用;

电池管理系统(BMS),DC-DC转换器,无刷直流电机(BLDC)控制,H桥电路,音频放大器或RF功率放大器,大功率LED照明,PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口、伺服驱动器等。

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