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650v 4a mosfet 0.9Ω内阻SCD65R1K2C

SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管,TO-252-2L贴片封装,VDS=650V,ID=4A,生产厂商为深鸿盛电子,采用先进的超结技术制造,具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用,典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V ID=2.0A。可广泛用于各类开关电源,DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动,我司为其代理经销商,欢迎带量询价。

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SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管,TO-252-2L贴片封装,VDS=650V,ID=4A,生产厂商为深鸿盛电子,采用先进的超结技术制造,具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用,典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V ID=2.0A。可广泛用于各类开关电源,DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动,我司为其代理经销商,欢迎带量询价。

高压低电流mos管SCD65R1K2C极限参数值数据;

高压低电流mos管SCD65R1K2C极限参数值数据

Tags:650vmos管
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