4N65场效应管SFD4N65/SFU4N65/SFP4N65是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应管，漏源电压典型值为650V，确保了在高压应用中的稳定性，最大连续漏极电流为4A，适合中等功率需求，栅源电压 (Vgs)为±30V，导通电阻 (Rds(on))典型值大约在2.0Ω至2.7Ω之间（依具体测试条件如Vgs=10V, Id=2A或10A而异）。

4n65场效应管SFD4N65的应用；

开关电源：适用于35W的AC-DC开关电源和DC-DC电源转换器。

电机驱动：可用于高压H桥PWM马达驱动，适合于需要高电压和一定电流控制的电机应用。

LED照明：可用于LED驱动电路，尤其是在需要较高电压输入转换的应用中。

逆变器和UPS系统：适合于电力变换和备用电源系统中的开关元件。

其他高压应用：包括电焊机、充电器、电力传输控制等。

深鸿盛4N65系列MOS管最大额定值参数；

4N65系列mos管封装，丝印及包装信息；

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