AP3910GD是铨力一款N沟道和P沟道的组合MOSFET，PDFV5*6-8L封装，丝印3910GD，耐压30v，电流能力36A，导通内阻＜12mΩ @ VGs=10V，最大功耗35w，适用于H桥电路，逆变器等。

在H桥逆变器中使用此MOS管的优势；

集成设计：NP沟道结构使单个器件可同时提供上下桥臂,简化电路设计。

电压匹配：30V的额定电压适合许多低压逆变器应用。

快速开关：具有较快的开关速度，有利于高频PWM控制。

热性能：36A的大电流能力通常意味着较好的散热性能。

NP沟道30v 36A MOS管AP3910GD极限参数数据；

如您需要了解更多可以联系我们提供规格书，上面有详细的电气特性、热性能、封装尺寸和其他重要信息。