68N06G场效应管是深圳铨力半导体一款N沟道增强型MOS管，PDFN5*6封装，丝印68N06G，编带包装，漏源电压(Vdss)60V，连续漏极电流(Id)50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A，栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@4.5V，可用于开关电源，电动车辆和充电桩，逆变器和太阳能系统，电机驱动和控制，大功率LED照明等，欢迎像代理商二方电子咨询样品，价格。

68N06G MOS管极限值参数；

60v 50A MOS管AP68N06G电气特性参数；