AP4910GD是一款由ALLPOWER（铨力）制造的N+P沟道场效应管，PDFN5*6封装，它结合了N沟道和P沟道两种类型的MOSFET在同一封装内，这通常意味着它可以用于需要同时控制正向和反向电流的应用中，比如在某些电源管理、负载开关和脉冲宽度调制（PWM）应用中。

AP4910GD参数：

N沟道参数：额定漏源电压Vdd为40V，最大漏极电流Io为30A，RDs(ON) <16mΩ@VGs=10V ΤΥP 14mΩ，RDs (ON) (25m Ω@VGs=4.5V TYP 20mΩ。

P沟道参数：额定漏源电压Vdd为-40V，最大漏极电流Io为-40A，RDs (ON) <16mΩ@VGs=-10VΤYP 13.5mΩ，RDs (ON) (25mΩ@VGs=-4.5V ΤYP 16.5mΩ。

功耗：整体最大功耗为45W。

n+p沟道双场效应管AP4910GD极限参数值一览表；

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